GL系列
GL系列是长光辰芯面向锂电检测、屏幕检测、印刷检测、自动分拣、轨道检测 、光伏检测等推出的线阵CMOS图像传感器产品系列,具备高速、高灵敏度等特性,分辨率涵盖2K、4K、8K、16K 。
全局快门
高行频
TDI
多光谱
GLT5008BSI
8K背照式CMOS TDI图像传感器
GLT5008BSI 是一款背照式(BSI)、时延积分 (TDI)、电荷域CMOS图像传感器,水平方向有效分辨率为8208,像素尺寸为5 μm,最高满阱17 ke⁻,具有优异的anti-blooming能力以及大于0.99993的电荷转移效率(CTE),峰值量子效率为93.4% @ 440 nm,得益于先进的背照式工艺和紫外量子效率优化工艺,在266 nm处的量子效率大于63.9%。同时,GLT5008BSI片上集成双谱段,级数分别为256级和32级,可通过HDR合成进一步提升动态范围。GLT5008BSI支持10 bit和12 bit ADC输出,对应的最大行频分别为1 MHz和500 kHz,10 bit最高行频下功耗<4.2 W,为确保高可靠性和良好的散热性能,其采用231引脚的μPGA陶瓷封装。GLT5008BSI具备高分辨率、高灵敏度、高帧频、低功耗等优异性能,同时片上集成了时序控制模块和电源管理模块,支持通道合并、可选扫描方向等功能,为基因测序、半导体检测、屏幕检测等应用带来更加准确、简单、高效的解决方案。
  • 产品特性

    双感光谱段

    像素尺寸:5 μm

    背照式、TDI

    高灵敏度

    双谱段HDR

    峰值量子效率: 63.9% @ 266 nm、 93.4% @ 440 nm

  • 产品尺寸
  • QE曲线
GLT5008BSI
GLT5008BSI
产品指标
  • 像素尺寸

    5 μm x 5 μm

    色彩

    黑白

  • 分辨率

    P1: 8208 pixels x 256 stages P2: 8208 pixels x 32 stages

    感光面长度

    41.04 mm

  • 满阱容量

    17 ke⁻ @ 10 bit

    读出噪声

    14.3 e⁻ @ 10 bit

  • 动态范围

    61.5 dB @ 10 bit

    暗电流

    4.6 ke⁻/pixel/s @ 11.9 ℃

  • 量子效率

    63.9% @ 266 nm 93.4% @ 440 nm

    ADC位数

    10/12 bit

  • 电荷转移效率 (CTE)

    ≥0.99993

    可选TDI级数

    P1: 256/252/224/192/128/64/32/4 P2: 32/30/28/24/16/8/4/2

  • Anti-blooming

    x50

    最高行频

    1M Hz @ 10 bit 500k Hz @ 12 bit

  • 输出接口

    72 对 Sub-LVDS

    功耗

    4.2 W

  • 最大数据率

    86.4 Gbps @ 10 bit

    通道合并

    72/54/48/36/24/18/12/6 @ 10 bit

  • 供电电压

    3.3 V (模拟)、 1.65 V (ADC) 1.6 V (数字)

    封装形式

    μPGA 231 pins (56.90 mm x 19.00 mm)

产品编码
  • GLT5008BSI-AUM-NUN-BRE
    普速,500 kHz @ 12 bit 54 x Sub-LVDS。 231-pin μPGA封装,可拆卸双面有抗反射镀膜的D263®T eco玻璃盖板,ES级。
  • GLT5008BSI-AUM-HUN-BRE
    高速,1M HZ @ 10bit 72 x Sub-LVDS。 231-pin μPGA封装,可拆卸双面有抗反射镀膜的D263®T eco玻璃盖板,ES级。
  • GLT5008BSI-AUM-NUN-BRD
    普速,500 kHz @ 12 bit 54 x Sub-LVDS。 231-pin μPGA封装,可拆卸双面有抗反射镀膜的D263®T eco玻璃盖板,Demo级。
  • GLT5008BSI-AUM-HUN-BRD
    高速,1M HZ @ 10bit 72 x Sub-LVDS。 231-pin μPGA封装,可拆卸双面有抗反射镀膜的D263®T eco玻璃盖板,Demo级。
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