GL系列
GL系列是长光辰芯面向锂电检测、屏幕检测、印刷检测、自动分拣、轨道检测 、光伏检测等推出的线阵CMOS图像传感器产品系列,具备高速、高灵敏度等特性,分辨率涵盖2K、4K、8K、16K 。
全局快门
高行频
高灵敏度
TDI
GLT5009BSI
9K背照式CMOS TDI图像传感器
GLT5009BSI是一款背照式电荷域时间延时积分(TDI)CMOS图像传感器。GLT5009BSI像素尺寸为5 μm,横向分辨率为9072,级数达到256级。结合先进的背照式工艺,使其具有极高的灵敏度,以满足在高速、弱光环境下的检测需求。GLT5009BSI具有16 keˉ的满阱容量以及小于8 eˉ的读出噪声,动态范围可达68.7 dB。芯片集成两个谱段,分别为256级和32级,在双谱段工作模式下,可进行HDR合成,动态范围可达77.5 dB。该芯片采用84对Sub-LVDS输出,最大数据速度可达74.304 Gbps。芯片支持多种工作模式,10 bit输出时最高行频可达608 kHz, 12 bit输出时最高行频为300 kHz。GLT5009BSI采用了269 pins μPGA陶瓷封装,同时片上集成时序生成器、LVDS通道合并、双向扫描等功能,使得用户的相机设计更加简单。 GLT5009提供标准版本和深紫外增强版本。
  • 产品特性

    背照式

    TDI

    高灵敏度

    最高行频:608 kHz (10 bit)

    双谱段HDR

    QE≥50% (266 nm)

  • 产品尺寸
  • QE曲线
GLT5009BSI
GLT5009BSI
产品指标
  • 有效分辨率

    P1:9072(H) pixels x 256(V) stages P2:9072(H) pixels x 32(V) stages

    感光面长度

    45.36 mm

  • 像素尺寸

    5 μm x 5 μm

    满阱容量

    16.3 keˉ (10 bit,单谱段) 19.2 keˉ (12 bit,单谱段)

  • 读出噪声

    10.6 eˉ (10 bit,单谱段) 7.0 eˉ (12 bit,单谱段)

    动态范围

    63.7 dB @ 10 bit 单谱段 68.7 dB @ 12 bit 单谱段

  • 暗电流

    ~4 keˉ /s/pixel (30℃)

    峰值量子效率

    82.4% (550 nm)

  • ADC

    10/12 bit

    最高行频

    608 kHz (10 bit,单谱段) 300 kHz (12 bit,单谱段)

  • 电荷转移效率 (CTE)

    ≥ 0.99993

    输出接口

    84对Sub-LVDS

  • 通道合并

    84/42/21/12/6/3

    最大数据率

    74.304 Gbps

  • 色彩

    黑白,黑白(UV)

    功耗

    <5.8 W (行频300 kHz)

  • 供电电压

    5 V(模拟),1.8 V(ADC) 1.8 V(数字)

    封装形式

    μPGA 269 pins (61.5 mm x 20.0 mm)

产品编码
  • GLT5009BSI-CBM-NUN-BR1
    269 pins μPGA封装, 可拆卸双面有抗反射镀膜的D263®T eco玻璃盖板,1级品。
  • GLT5009BSI-CBM-NUN-BU1
    269 pins μPGA封装, 密封双面有抗反射镀膜的D263®T eco玻璃盖板,1级品。
  • GLT5009BSI-CUM-NUN- BR1
    269 pins μPGA封装, 可拆卸双面有抗反射镀膜的D263®T eco玻璃盖板,1级品。 GLT5009BSI-DUV:DUV增强版本。
  • GLT5009BSI-CBM-NUN-BRE
    269 pins μPGA封装, 可拆卸双面有抗反射镀膜的D263®T eco玻璃盖板,ES级品。
  • GLT5009BSI-CBM-NUN-BUE
    269 pins μPGA封装, 密封双面有抗反射镀膜的D263®T eco玻璃盖板,1级品。
  • GLT5009BSI-CUM-NUN- BRE
    269 pins μPGA封装, 可拆卸双面有抗反射镀膜的D263®T eco玻璃盖板,ES级品。 GLT5009BSI-DUV:DUV增强版本。
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