实现整个像素面阵同时开始曝光、同时结束曝光。
电荷域全局快门像素新结构，实现单电子级读出噪声。
双微透镜阵列设计，有效优化快门效率。
根据大靶面芯片特点进行整体模块化设计，突破单次24 mm x 32 mm的光刻极限。
针对超高分辨率图像传感器靶面大的特点，突破二维无缝拼接设计，实现大靶面、超高分辨率CMOS图像传感器的研制。
采用CMS技术，实现单电子读出噪声。
掌握高速电路设计方法，大幅提升芯片传输速率，最大数据率可达1 Tbps。
采用双增益电路设计，实现单幅＞100 dB的动态范围。
在弱光环境下，可实现高速扫描，并获取高的图像质量，系统检测效率更高。
相同检测速度下，相较于普通线阵传感器，可使用更低的照明亮度，系统能耗更低。
多用于半导体量测，PCB、显示屏检测和高通量基因测序等行业。
自主开发的背照式图像传感器技术，峰值量子效率可达95%以上。
谱段范围可拓宽至——软X射线、紫外到近红外。
具备低读出噪声和高灵敏度。
对像素和电路进行独立设计，通过铜互联工艺将像素晶圆和电路晶圆绑定，实现堆栈式芯片研制。
继承了背照式芯片的全部优势，还具有尺寸小、读出速率块、集成度高等特点。
基于堆栈式结构设计，实现高性能专业影像级和TOF图像传感器研制。
