2025 年6月26日，长光辰芯发布全新一代400万分辨率、背照式科学级CMOS图像传感器--GSENSE6504BSI。该芯片采用全新的架构设计和制造工艺，实现了灵敏度、分辨率、噪声和帧频之间的完美平衡，是细胞生物学、生物化学、天文成像、半导体检测等领域的理想选择。

GSENSE6504BSI实物图片

优势继承：封装，像素尺寸，分辨率，全面兼容

GSENSE2020BSI自发布以来，因其经典的像素、光学尺寸、以及像素分辨率，在显微成像领域获得了诸多用户的青睐。GSENSE6504BSI作为GSENSE2020BSI的升级款，其保持了6.5 μm x 6.5 μm 的像素尺寸，2048 (H) x 2048 (V)四百万分辨率，以及95%的峰值量效率。用户不需要更改任何光学设计，就可以直接兼容全新的GSENSE6504BSI芯片；同时GSENSE6504BSI和GSENSE2020BSI芯片封装使用同一款陶瓷管壳，方便用户的相机集成，减少研发资源的投入。

GSENSE6504BSI（左）和GSENSE2020BSI（右）封装采用同一款陶瓷管壳

性能升级：读出噪声，帧频，暗电流，全面提升

GSNESE6504BSI产品设计专注解决高端成像需求和痛点，在本身优异的动态范围的基础上，聚焦读出噪声、帧频、暗电流等核心性能指标的优化，并取得了极大进展。

对于极端弱光成像的场景，不仅要求芯片具有超高的量子效率，还需要极低的读出噪声和暗电流。GSENSE6504BSI除具备95%的峰值量子效率，同时凭借全新的像素设计以及优化的背照式生产工艺，其读出噪声可低至0.7 e¯，且在-30℃下暗电流仅为0.004 e¯/p/s，相比较于GSENSE2020BSI，暗电流降低近17倍。以上特性，必将拓展GSENSE6504BSI在极弱光长时间曝光的更多应用场景，有效降低相机的制冷难度，提升成像灵敏度。

GSENSE6504BSI和GSENSE2020BSI暗电流曲线对比

GSENSE6504BSI采用双增益设计，支持高动态(HDR)和标准高速(STD)两种工作模式。在全分辨率下，HDR模式最快帧频170 fps，动态范围达到85 dB；高速模式最快帧频可实现300 fps。GSENSE6504BSI凭借亚电子的读出噪声和300 fps高速成像能力，将使其在高灵敏度、高通量成像中获得更广泛的应用。

应用拓展：全谱段覆盖，紫外响应更优

GSENSE2020BSI产品设计更专注在可见光和近红外谱段的提升，因此主要应用于生命科学，显微成像，天文观测等领域。GSNESE6504BSI芯片设计更关注全谱段量子效率提升，在保证可见光和近红外谱段具备较高量子效率的同时，进一步提升200 nm - 280 nm谱段的量子效率，其平均量子效率为 > 50%；结合GSENSE6504BSI的高帧频特性以及全局复位功能，使其完全满足半导体检测、水质分析等领域的应用。

GSENSE6504BSI量子效率曲线，拆盖测试

GSENSE6504BSI相比较于GSENSE2020BSI，进行了全面的性能升级，进一步提升sCMOS在弱光探测应用领域的极限能力。

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